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国产碳化硅功率器件加工装备实现重大突破，制程减薄工艺实现全流程国产化。有机构称，SiC行业有望实现加速上行，建议关注产业链需求传导。
碳化硅产业链实现国产化突破
据中电科电子装备集团消息，该集团下属北京中电科公司自主研制的国内首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄设备，近日成功交付国内头部晶圆企业实现量产应用，由此构建起覆盖碳化硅晶锭、衬底片、器件晶圆减薄的全流程国产装备解决方案。
经量产实测，该设备可将8英寸碳化硅晶圆稳定减薄至最小120微米，产能不低于15片/小时，磨削后片内厚度偏差稳定在3微米以内，全面满足规模化量产的产能与均匀性要求。
产业链其他环节同样捷报频传。10月14日开幕的2026湾芯展上，长飞先进正式发布高性能SiC MOSFET系列芯片，并同步推出自主研发的嵌入式PCB功率模块；9月，电科装备48所自主研发的新一代8英寸碳化硅高温氧化炉完成SiC MOSFET流片中试验证，各项核心指标均达到对标产品水平。
海外方面，Wolfspeed近期推出Premium 200毫米N型碳化硅衬底并已实现商用供货；英飞凌与伊顿9月底联手，将碳化硅模组导入面向AI数据中心800VDC架构的固态变压器方案。
机构：碳化硅行业业绩拐点已现
碳化硅是第三代半导体核心材料，具备耐高压、耐高温、高频等特性，是新能源汽车、光伏储能、AI数据中心电源等场景功率器件的关键材料。
泓川证券近日研报指出，碳化硅行业业绩拐点确立，“产能已经拉满、要多拿货必须加价”，预计SiC衬底需求有望由2025年的约85亿元增至2030年以后的约2020亿元，增量主要来自AI电力、先进封装和AR眼镜；需求放量将沿设备、衬底、外延的顺序向上游传导。
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