楼主: rogercc
791 0

[休闲其它] 技术路线,什么该走,什么不该走?(110504) [推广有奖]

  • 0关注
  • 0粉丝

博士生

14%

还不是VIP/贵宾

-

威望
0
论坛币
118 个
通用积分
0
学术水平
1 点
热心指数
4 点
信用等级
0 点
经验
1250 点
帖子
105
精华
0
在线时间
43 小时
注册时间
2009-6-29
最后登录
2014-5-5

+2 论坛币
k人 参与回答

经管之家送您一份

应届毕业生专属福利!

求职就业群
赵安豆老师微信:zhaoandou666

经管之家联合CDA

送您一个全额奖学金名额~ !

感谢您参与论坛问题回答

经管之家送您两个论坛币!

+2 论坛币
技术路线,什么该走,什么不该走?(110504)
转载自blog.51xuewen.com/ymin/article_42571.htm
      
闵应骅
    技术的发展需要战略性的思维,而战略性思维需要战术研究的支撑。一个国家的技术路线还同时要考虑国情。我们国家,许多人都是战略科学家,一般都爱谈技术路线。但是,我看到的都只有“我们应该走什么技术路线?”,可没听说过谁谈不应该走的技术路线。没有对比,就很难有说服力地说明:为什么要采取你所指出的技术路线?
    今年3/4月的IEEE Design&Test上面发表圣地亚哥加州大学Andrew B. Kahng的文章,就内嵌存储器,讨论什么路该走?什么路不该走?简单介绍如下。
    我们知道国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)是由美国、欧洲、日本、韩国和台湾地区的专家共同编制的的一个文件,是产业界(芯片制造商、设备和材料供应商)、**部门和大学、研究机构,对当前半导体技术进行评估,对未来10-15年半导体技术的发展趋势进行预测,每年更新。它包括许多工作组,例如研究新元件的工作组、研究新材料的工作组,提出了许多关于内嵌存储器的方案,全部公开,进行比较。譬如包括电阻存储器、自旋转移力矩磁阻存储器(spin-transfer torque magnetoresistive RAM,STT-MRAM)、相变存储器等等。确定走什么路比较好有三个条件:
  1.该存储技术已知存储机制,而表现出来的性能好;
  2.在16纳米以下的多代技术可扩展;
  3.在5-10年内可投产。
    经过广泛讨论以后认为,自旋转移力矩磁阻存储器和Redox[还原/氧化]RAM将加速研究,走向商业化。有人比较了8种技术,得出了此结论。该文谈到的一些技术细节这里就不谈了。有兴趣的读者可参见 IEEE Design and test of computers,March/April 2011,pp.74-75 or
159.226.100.157/sess_25827/http182ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5739844 。当然,这既然是一种预测、一种分析,并不能保证100%变成现实。这就是战略研究的成败问题了。越是集中全世界的智慧,越是经过广泛的讨论,成功的希望当然也就越大。越是过分集中几个人的意志,投资失败的可能性就越大。我国在水利建设方面这样的教训比较大。
    技术路线对于国家研发经费的投资取向至关重要。公司技术路线,走得好,公司就能兴旺发达;走错了,损失很大,甚至倒闭。而技术路线的确定要融入国际。我们不是经常喊要有话语权吗?在半导体技术方面,我们就应该参与国际半导体技术路线图。单打独斗不行,跟着人家跑也不行。
二维码

扫码加我 拉你入群

请注明:姓名-公司-职位

以便审核进群资格,未注明则拒绝

关键词:Internation Technology Technolog Computers National 技术 路线

您需要登录后才可以回帖 登录 | 我要注册

本版微信群
加JingGuanBbs
拉您进交流群

京ICP备16021002-2号 京B2-20170662号 京公网安备 11010802022788号 论坛法律顾问:王进律师 知识产权保护声明   免责及隐私声明

GMT+8, 2024-4-26 12:47