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如前所述,我们的标准是=11{S*=S} {t≥1} +Xs≤t{s<1}{s*s-<党卫军-(1+ψ)}bΦ(1)- (s)Ns=11{S*=S} {t≥1} +Zt∧1{S*s-<党卫军-(1+ψ)}bΦ(1)- s) dMs+λZt∧1{S*s-<党卫军-(1+ψ)}^Φ(1 - s) ds。注意我们有{S*=S} =h{max(S)*1.-,S1-(1+ψ))=S}- 11{max(S)*1.-,S1-)=S} 我M+11{max(S)*1.-,S1-)=S} 。和m=Z+Ao=Z-p(Z)+敖-p(Ao)。然后,我们将过程Z重新写入如下Z=11[[0,1[[ψ麦克斯(S)*-s-(1 + ψ), 1), 1 - TM+(1)-M) I[[0,1[[ψ]s*-s-, 1.-T.这意味着-p(Z)=11[[0,1][[Ψ麦克斯(S)*-s-(1 + ψ), 1), 1 -T- Ψs*-s-, 1.- T因此,通过结合所有这些重新标记,我们推断m=Z-p(Z)+敖-p(Ao)=~n然后,断言a)紧跟在定理4.2之后。接下来,我们将证明断言b)。假设-1<ψ<0,我们计算eaot=P(τ=1 | F)11{t≥1} +XnP(τ=Tn | FTn)11{t≥Tn}=11{S*=S} {t≥1} +Xn{Tn<1}{S*Tn=STn-}P(sups)∈[Tn,1[Ss<STn-|FTn)11{t≥Tn}=11{S*=S} t≥1} +Xn{Tn<1}{S*Tn=STn-}eΦ(STn)-STn,1-Tn)11{t≥Tn},其中eΦ(x,t)由(4.9)给出。为了找到Ao的补偿器,我们写下EAOT=11{S*=S} {t≥1} +Xs≤t{s<1}{s*s=Ss-}eΦ(1+ψ,1)-(s)Ns=11{S*=S} {t≥1} +Zt∧1{S*s=Ss-}eΦ(1+ψ,1)-s) dMs+λZt∧1{S*s=Ss-}eΦ(1+ψ,1)-s) ds。因此,由于过程的连续性*, 我们找到了-p(Ao)t=I{S*t=St-}eΦ(1+ψ,1)-(t)Mt,Zt-压电陶瓷=ψ(S)*tSt-(1 + ψ), 1 - (t)- ψ(S)*tSt-, 1.-(t)新界。这意味着mt=Zt-pZt+Aot-p(Ao)t=ψI{S*t=St-}eΦ(1+ψ,1)-t) +ψs*tSt-(1 + ψ), 1 -T- Ψs*tSt-, 1.-T新界。由于m和S是纯间断F-局部鞅,我们得出结论,m可以写成m=m+ν·S的形式,断言b)的证明紧随定理4.2。这就结束了这一主张的证明。我们将在下面展示我们的最后一个例子。本例的分析基于以下三个函数。ψ(x)=P(S)*> x) =P(supsSs>x),bΦ=P(supsSs≤ 1) ,andΦ(x)=P(supsSs<x)。
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