低维II-VI族半导体纳米结构的控制生长

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低维II-VI族半导体纳米结构的控制生长
低维半导体纳米材料的控制生长是当前纳米科学与技术研究领域的前沿和热点。本文选择典型的II-VI族半导体作为研究对象,采用电化学沉积、湿化学等方法制备了一系列低维纳米结构,对所获得纳米材料的尺寸、化学成分、晶体结构以及晶体取向成功地进行了控制。
采用多孔氧化铝作为模板,通过直流电沉积方法,在120 oC的低温条件下制备了高度有序的六方ZnS纳米线阵列。在电流密度I = 0.1 mAcm<sup>-2</sup>时制备了沿[110]方向生长的六方ZnS单晶纳米线阵列;当电流密度增加时,制备的六方ZnS纳米线为多晶结构。
多孔氧化铝纳米孔洞的限域作用有利于六方ZnS单晶纳米线的形成。以多孔氧化铝作为模板,通过直流电沉积方法,在110 oC条件下制得了高度有序的六方CdS纳米线阵列。
结果表明,电流密度对于电沉积纳米线阵列的取向生长有重要影响:在电流密度I = 1.28 mAcm<sup>-2</sup>时制备了六方CdS多晶纳米线阵列,当电流密度降低到I = 0.05 mAcm<sup>-2</sup>时,获得了沿[103]方向生长的六方CdS单晶纳 ...

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关键词：半导体 纳米材料 研究对象 研究领域 Mac