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PLD法制备Ga_2O_3薄膜材料及其紫外光响应特性研究
近五十年来,基于薄膜半导体材料的光电探测器因其体积小、成本低、功耗低等优点,逐渐替代真空光电管成为当前的主流研究热点。相较于MgZnO、AlGaN和金刚石等其它宽带隙薄膜材料,Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜对紫外光比较敏感,对日盲紫外光（220-280 nm）响应度高,是制备高性能日盲紫外探测器的理想材料之一。
但是,Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲紫外探测器也存在一些问题,例如暗电流高,信噪比低,响应和恢复速度慢等,限制了其在商业等领域的应用。因此,进一步降低Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器的暗电流和提高器件信噪比成为本论文研究的重点。
本论文主要内容是利用脉冲激光沉积（PLD）方法,在制备Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的过程中,通过降低生长温度,在β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜中生长（400）β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和引入α-Ga<sub>2</s ...
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