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[其他] 光刻胶剥离设备市场2032年将达12亿美元:先进制程与封装升级驱动行业加速增长 [推广有奖]

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根据QYResearch的统计及预测,2025年全球光刻胶剥离设备市场销售额达到7.66亿美元,预计2032年将增长至12.10亿美元,2026—2032年年复合增长率(CAGR)为6.7%。从市场规模及产业发展趋势来看,随着先进逻辑、存储器、CIS、功率半导体以及先进封装持续升级,光刻胶剥离设备正在由传统的通用去胶设备向低损伤、高选择性、低颗粒和精细化工艺控制方向发展,市场增长空间进一步打开。

光刻胶剥离设备市场分析:贯穿半导体制造与先进封装关键环节

光刻胶剥离设备是半导体制造及先进封装领域的重要工艺装备,主要应用于半导体晶圆、先进封装、MEMS、化合物半导体、光电子器件以及部分显示制程。其核心功能是在完成刻蚀、离子注入、沉积、电镀、RDL或TSV等后续工艺后,将基片表面的光刻胶、厚胶、聚酰亚胺、残胶、聚合物副产物及有机膜层残留去除,为后续清洗、沉积、金属化、键合和量测工序提供洁净、低损伤、低残留的表面状态。

从产业链位置来看,光刻胶剥离设备并不是孤立的清洗设备,而是贯穿“光刻—刻蚀—离子注入—沉积—封装互连”等多个环节的重要表面处理节点。其核心价值在于,在避免损伤底层薄膜、金属互连、低k介质、化合物半导体材料及先进封装结构的前提下,实现光刻胶、厚胶、残胶和聚合物副产物的稳定去除。

随着先进逻辑、存储器、CIS、功率器件及先进封装结构日益复杂,单颗芯片或单片晶圆经历的光刻与去胶循环次数不断增加。因此,去胶设备的技术定位也正在发生变化,行业需求已经从过去强调“通用去除”,逐渐转向低损伤、高选择性、低颗粒、低化学品消耗和可追溯工艺控制。

按照较窄的市场统计口径,本报告主要将半导体晶圆、先进封装、MEMS及化合物半导体用去胶设备纳入市场范围,不将去胶液、光刻胶材料、二手设备交易以及普通PCB退膜线纳入核心市场规模。

供给格局:干法、湿法与特色设备形成差异化竞争

从全球供应格局来看,光刻胶剥离设备市场已经形成“干法去胶头部集中、湿法去胶平台化、长尾设备商区域化”的竞争结构。

在干法去胶和Plasma Strip领域,PSK、屹唐/Mattson、Lam Research拥有较强的installed base;在湿法去胶、喷淋式清洗、槽式湿法及单片湿法平台方面,TEL、SCREEN、ACM Research、Lam、RENA、AP&S、Modutek、JST等企业具有较高市场存在感。

与此同时,PVA TePla、ULVAC、Samco、YES、Trymax、Trion、Plasma Etch等企业,则围绕微波等离子灰化、研发及小批量生产、MEMS、化合物半导体和先进封装等细分领域形成差异化竞争优势。

中国市场同样正在形成较完整的本土供应梯队。北方华创、盛美上海、芯源微、屹唐、芯栋微、SINDIN等企业已经覆盖高端12英寸Dry Strip、湿法去胶、先进封装去胶以及小尺寸晶圆去胶等不同产品方向。由于各企业的信息披露口径和客户验证阶段存在差异,但从整体行业发展趋势来看,国产替代正在推动中国成为全球光刻胶剥离设备增量较为活跃的供给区域之一。

需求结构变化:先进逻辑、存储与先进封装共同拉动市场

从需求端进行市场分析可以发现,光刻胶剥离设备的市场增量并不单纯来源于晶圆厂新增产能,更与半导体制造工艺复杂度提升以及材料体系变化密切相关。

在先进逻辑和DRAM领域,post etch strip、post implant strip、descum以及低损伤去残留等工艺对设备提出了更高要求;3D NAND则由于多层结构、存储堆叠和高深宽比图形,对残留控制及颗粒控制更加敏感。

先进封装正在成为光刻胶剥离设备重要的增量应用市场。RDL、Bumping、TSV、Fan-out、HBM和CoWoS类工艺会带来厚胶、PI、金属剥离以及电镀后PR Strip等需求。与此同时,化合物半导体、MEMS、LED和光电子器件需要兼容SiC、GaN、GaAs、LiNbO₃、玻璃和蓝宝石等多种基材。

由于不同应用场景在温度、化学品、等离子损伤以及金属污染方面的容忍度存在明显差异,单一设备平台很难覆盖全部工艺需求。因此,全球市场逐渐形成高端300mm量产设备、中端先进封装湿法平台以及中小型Specialty Tool并存的产品格局。

发展趋势:干湿法协同,设备竞争转向综合工艺能力

从技术路线来看,干法与湿法去胶并不是简单的相互替代关系,而是根据具体工艺步骤、胶层厚度、材料敏感性及客户成本模型进行选择。

其中,干法等离子去胶适用于post implant strip、descum、表面处理以及部分低化学品消耗场景,也适用于对湿法化学品兼容性有限的结构;湿法去胶则在厚胶、金属剥离、先进封装、电镀后剥离以及部分高吞吐批处理场景中仍然具有明显优势。

未来光刻胶剥离设备的技术发展将主要围绕几个方向展开,包括低损伤远程等离子体、更高均匀性的微波/RF Plasma Source、SPM用量削减、臭氧水及低环境负荷化学品、单片与批式混合平台,以及面板级封装大尺寸基板兼容能力。

与此同时,设备与工厂自动化系统的深度融合也将成为行业重要发展趋势。Endpoint Control、Recipe Traceability等功能将进一步增强生产过程的可追溯性和工艺稳定性,使光刻胶剥离设备从单纯的去胶工具向更加完整的智能化工艺平台发展。

行业前景:先进制程升级打开光刻胶剥离设备长期空间

综合来看,全球光刻胶剥离设备市场正处于技术升级与应用扩张阶段。先进逻辑、DRAM、3D NAND、CIS、功率半导体以及HBM、CoWoS、Fan-out等先进封装技术的发展,将持续提高去胶工艺的复杂程度,并推动设备需求向更高精度、更低损伤和更强材料兼容性方向升级。

从市场规模来看,2025年全球光刻胶剥离设备销售额为7.66亿美元,预计2032年达到12.10亿美元,2026—2032年CAGR为6.7%。这一市场增长不仅来自新增晶圆产能,也来自先进工艺带来的设备配置数量增加以及单台设备技术价值提升。

未来,光刻胶剥离设备的竞争重点将进一步从单一去胶速率转向综合拥有成本(CoO)、缺陷率、化学品消耗、工艺窗口匹配能力、设备生产率及自动化水平。在先进制程和先进封装持续发展的背景下,具备干湿法工艺协同能力、复杂材料兼容能力以及量产工艺验证经验的设备企业,有望在未来光刻胶剥离设备市场竞争中占据更有利的位置。
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