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我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
据前瞻产业研究院《中国芯片行业市场需求与投资规划分析报告》数据显示，存储芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光。
资料来源：前瞻产业研究院整理
当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有，中国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷纷开始安装机台预计今年下半年投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。
中国存储芯片产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以目前三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。
DRAMeXchange指出，观察中国存储芯片厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储芯片产业的生产元年，但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大，短期难以撼动全球市场现有格局。无论是DRAM还是NAND产品，各家都是初试啼声，相比耕耘多年的存储芯片大厂面临更多挑战，因此也不排除中国存储芯片厂量产时间比预期延后的可能性。
随着中国存储芯片产品逐步成熟，预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满产，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面，长江存储计划设有三座厂房，总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投产，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。
随着大数据、物联网、云计算等产业的快速发展，集成电路的需求量越来越大。我国是全球半导体需求量最大的地区，占比超过50%，然而我国的集成电路产品尤其是存储芯片却几乎完全依赖于进口。集成电路是一个国家科技发展的核心产业，因此近年来我国不断推出产业政策并提供资金以支持半导体行业的发展，相关企业市场竞争力显著提升。
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