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雷达卡
發布日期：2019/09/26
隨著記憶體廠擴展和升級的大浪潮即將結束，代工廠將在2019年占據大部分半導體資本支出比重。過去兩年，記憶體的資本支出是推動整個半導體產業資本支出大幅成長的因素。這些升級和擴廠計劃中的大多數已完成或已進入其最終建設階段。因此，預計記憶體資本支出將占今年半導體行業資本支出總額的43%，低於2018年的49%。繼2018年創下1,059億美元的紀錄之後，預計2019年半導體資本總支出將下滑8%至978億美元。
七年來，記憶體設備資本支出的比重大幅增加，從2013年的27%(147億美元)成長到2018年創紀錄的49%(520億美元)紀錄，2019年資本支出約416億美元，2013~2019年的年複合成長率為18.9%。2017年和2018年支出最大的IC產品是Flash記憶體/非揮發性記憶體類別，三星、SK海力士和美光三家大廠DRAM和NAND記憶體都積極投資，而英特爾、東芝Memory、Western Digital、SanDisk和XMC、Yangtze River Storage Technology在過去18個月中均大幅提高了3D NAND快閃記憶體容量， DRAM和NAND記憶體市場已進入產能過剩和價格疲軟的時期。 DRAM和NAND快閃記憶體的每位元價格急劇下跌，以及對2019年的資本支出大幅削減可以證明。
在2019年，預計DRAM和Flash的資本支出將分別衰退19%和21%。預計2019年記憶體資本支出為416億美元，比2018年減少104億美元。今年DRAM和快閃記憶體市場的支出大幅削減，是記憶體廠商試圖防止在2019年下半年和2020年價格持續下跌的原因。
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