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如果我们确定ri(θ)是Donsker,则结果如下。考虑重新参数化=(,),其中:=(α+~ρ,β-~ρπ,~ρζ和:=(π,ζ)。利用θ的紧性,新的参数空间V:={=(,):θ∈θ}也是紧的。表示w1i=(y2i,xi,-zi)和w2i=(xi,zi)。重写Φ[Y2I(α+~ρ)+XI(β-~ρπ)-ZIζ~ρ]=Φ(w1i)。通过滥用表示法,定义r1i()=Y1I-Φ(W1I),r2i():=Y2I-W2I,定义函数类F:=RI()=(r1i(),r2i()):∈V,从V的紧性出发,(F,k·k)完全有界于k·k为欧几里得范数。首先,重点讨论r1i()。对于每一个w1i,且对于,ε,V的Va子空间与之相关,假定w1i≥w1i,但不失一般性。那么,对于c∈(w1 i,w1 i)和某个常数c>0,则kr1i()-r1 i(})k=Φ(w1 i)-Φ(w1 i)=zw1 i w1 i?φ(t)dt=φ(c)w1i(-)≤ckw1 ikk-k。对于(w1i,w2i)的定律,通过假设(A.1),我们知道了Ep[kw1ik]<∞。现在,考虑r2i(),并注意,对于Va子空间与kr2i()-r2i(})k≤kw2ikk-k相关联的V,对根据Van der Vaart和Wellner(1996)的定理2.7.11,与V的紧性一起表明F是p-Donsker。对于gi(θ)=[ai,bi]ri(θ),我们得到了vn(θ):=√n([gn(θ)-e[gi(θ)])yenv(θ),对于θ∈θ,其中v(θ)表示一个零均值和零方差核的高斯过程(θ,~θ):=En(gi(θ)-e[gi(θ)])(gi(~θ)-e[gi(~θ)])o.通过假设(a.1)中S(θ,θ)的连续性和θ的紧致性,我们得到了0<supθ,~θ∈θk(θ,~θ)k<∞。以下结果表明,正文中的假设4是对假设1引理的充分利用。3.在假设1下,如果~ai:=~a(y2i,zi,xi)满足en[k~aiziζ(y2i,zi,xi)k]<∞,对于φn(η,θ):=√npni=1{~aiφi(η,θ)ziζ-en[~aiφi(η,θ)ziζ},n(η,θ)§(η,θ)是一个均零高斯过程。引理3的证明。与引理2的证明类似,证明了函数类sf:=R3i(η)=~aiφ(η,θ)ziζ:η∈γ(θ)是Donsker,其中η:=(~ρ,~ρ+α,β-~ρπ)。因此,我们只给出细节的草图。设wi:=(-ziζ,y2i,xi)。对于η的每一个wiand,在不丧失一般性的情况下,假定wiη≥wiη.设φ(x)表示密度函数φ(x)的导数。然后,对于c∈(wiη,wiη),k~aiφ(η,θ)ziζ-~aiφ(η,θ)ziζk=φ(c)k~aiziζwi(η-η)k≤ck~aiziζwikkη-ηk,对于某个常数c>0,其中的等式是中间值定理,以及柯西-施瓦茨不等式。对于P,wi的联合律,通过假定(a.1),θ的紧性(假定(a.4))和矩假设对于~ai.,Ep[k~aiziζwik]<∞。其余的证明遵循引理2的证明,为简洁起见略去。对于an=rλn,下面的结果表明,无论对仪器弱点的解释如何,对于任何相合估计量,样本估计量(gn(θn)/θan)都是假定5中M的相合估计量。引理4。若{θn}为kθn-θk=op(1),则在假设1-6:m=plimn→∞_gn(θn)θan,其中an=rλn。引理4的证明。设gn(θ)=(1 n(θ),2 n(θ),...,gh,n(θ))。n(θn)θ在θ处的均值展开式产生了gl,n(θn)θ=\'gl,n(θn)θ+(θn-θ)\'gl,n(Eθn)θθ,l=1,2,...,其中θ是在θ和θn之间逐分量的。利用矩的结构gn(θ),Φ(·)及其导数ai和bii的光滑性条件都是可测的,不难证明kθn-θk=op(1)蕴涵Hessian乘以An,n(eθn)θθAn=op(1)forl=1,2,...,h。因此,kθn-θk=op(1)和引理1蕴涵结果是充分的。引理5。在假设1-6下,引理1中对λnas的情况下,证明了导出的引理5的证法,证明了导出的引理1中的λnλ-1n(ζn-ζ)=Op(1)。
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