场效应管放大电路
三种基本组态:共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG)
场效应管组成放大电路的原则和方法与三极管相同:为使场效应管正常工作,各电极间必须加上合适的偏置电压;为了实现不失真放大,也同样需要设置合适且稳定的静态工作点。
场效应管是一种电压控制器件,只需提供栅偏压,而不需要提供栅极电流,所以它的偏置电路有其自身的特点。
不同FET类型对偏置电压的要求
PMOS
一、场效应管的直流偏置和静态工作点计算
自给栅偏压电路 (只适用于耗尽型FET)
自偏压电路
Rg为栅极泄放电阻,泄放栅极感生电荷,取值宜大,通常取0.1~10MΩ。
Rs为源极偏置电阻,作用类似于共射电路的Re,可以稳定电路的静态工作点Q 。
由于IG=0,所以Rg上无直流压降,VG=0。
由于耗尽型FET在VGS=0时存在导电沟道,所以电路有漏极电流ID。
FET偏置电路类型:
自偏压偏置电路
分压式自偏压电路
VG


雷达卡




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