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InP基近红外器件的研究
近年来,InP材料已成为半导体领域的热点研究之一。本论文着重探讨了如下三个重要的InP基半导体光电器件:（1）高内部增益、良好频率特性和低工作电压的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/InP异质结光敏晶体管（Heterojunction Phototransistors,HPTs）;（2）良好整流特性的Al/MoO<sub>3</sub>/p-InP肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diodes,SBDs）;（3）通过抑制器件暗电流而得到的低噪声特性的以InP为衬底的In<sub>0.66</sub>Ga<sub>0.34</sub>As/InAs超晶格（Superlattice,SL）电子阻挡层红外探测器。
首先,我们系统地对一款背入式pnp型近红外In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/InP HPTs进行了光谱响应的数学公式建模,我们的建模基础是依托于表征半导体有源区光生过剩少数载流子分布特性的稳态连续性方程和特定的边界条件。所建立的器件光谱响应模型值和实验测量值在 ...

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关键词：近红外 JUNCTION barrier Lattice HETERO