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射频反应磁控溅射制备VOx薄膜_通信工程毕业论文

发布时间:2015-06-01 来源:人大经济论坛
射频反应磁控溅射制备VOx薄膜_通信工程毕业论文 全部作者: 李建峰 吴志明 王涛 魏雄邦 黎威志 第1作者单位: 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 论文摘要: 本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响,在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜,制得了具有电阻温度系数较高(-3.97%)和方阻较小的VOx薄膜, 并采用X光电子能谱分析仪XPS 对薄膜的结构及成分进行了分析,经分析计算得到其化学计量式为VO1.9。 关键词: VOx薄膜;射频反应溅射;电阻温度系数 (浏览全文) 发表日期: 2008年04月11日 同行评议: 该文研究了溅射条件主要是氧分压对VOX薄膜电学性能的影响,虽然取得了1些有意义的结果,但总得来说不具有创新性。在论文写作中,有1些基本的错误,比如:(1)XPS不能用来分析材料的结构,但在摘要中作者声称用XPS分析了薄膜的结构。(2)在第2页中,有1段这样的描述:在氧分压0.3%,......,金属钒没有产生反应......。首先,“金属钒没有发生反应”这个说法不清楚,应该指出金属钒与什么没有发生反应;其次,从本质上说,金属钒不可能没有被氧化,只是氧化的程度较轻而已。 (3)在图1中的升降温度曲线的表示方面,不够清楚。横坐标的温度都是从小到大,如何让读者辩明是升降温曲线?(4)在第3页中,作者描述XPS的分析室真空优于220-7Pa,评审人认为这不可能,希望这是1个笔误。此外,论文写作用语不够规范,有多处语法不通。比如:第2页中的“由于靶表面只是吸附...”等等,不1而足。 综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。
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