小信号分立器件全球市场总体规模预计2029年达到116亿美元 [推广有奖]

小信号分立器件全球市场总体规模

小信号分立器件又称为小功率半导体器件，指额定电流低于1A，或额定功率低于1W的半导体分立器件。小信号分立器件可分为小信号二极管与小信号三极管，其中小信号二极管包含：小信号开关二极管、小信号肖特基二极管、小信号稳压二极管；而小信号三极管则包含有普通小信号三极管与小信号MOSFET。

根据QYResearch最新调研报告显示，预计2029年全球小信号分立器件市场规模将达到116亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为7.4%。

小信号分立器件，全球市场总体规模，预计2029年达到116亿美元

主要驱动因素:

1. 国家政策的支持：半导体分立器件属于半导体子行业，其发展也将受到国家的大力推动，同时国家也先后出台了多项产业扶持政策，对于支持和鼓励半导体分立器件行业的发展起到了积极的作用。

2. 下游应用领域广阔：半导体分立器件是电子产业的基础器件，拥有广阔的下游应用市场，在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域广泛应用。半导体分立器件产业的发展主要依赖于电子终端市场发展的驱动。由于电子终端产品出货量不断提升，以及终端产品智能化率持续提升，促进了半导体分立器件产业规模不断扩大，产业技术不断提升。下游新兴市场的快速发展为我国半导体分立器件产业实施弯道超越提供了机遇，同时也将带动对半导体分立器件产品需求的不断提升。

3. 进口替代机遇：随着国内技术不断进步和下游终端向国内市场倾斜，同时，国外对中国企业产品和相关技术的封锁，国产替代将成为半导体产业未来的发展重点。

主要阻碍因素:

1. 企业的产品结构单一：需要一定的时间来开发新产品，最终实现规模化销售。 如果短期内下游市场产品需求放缓，将对公司营收和销售产生不利影响。

2. 技术升级的限制：功率半导体器件属于技术密集型行业，技术和下游客户需求的迭代速度比较快。 如果技术迭代有限，在功率器件应用领域持续创新和紧跟下游应用发展方向的能力可能无法保持，产品可能被超越或替代，难以保持领先地位。

行业发展趋势:

1. 功率器件集成化：除了MOSFET功率器件结构和工艺的优化外，终端领域的高功率密度要求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中高功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模组。 由于大功率模块需要多个器件的电气互连，并且必须考虑高温失效和散热问题，因此封装工艺和结构更加复杂。目前，工业领域仍然是电源模块的主要应用领域。 随着新能源汽车和5G技术的兴起，功率器件的模块化趋势将越来越显着。

2. 工艺进步和器件结构改进带来的变化：采用新器件结构的高性能MOSFET功率器件可以获得更好的性能，从而导致传统技术功率器件的市场空间得到升级。同时，随着各应用领域对性能和效率要求的不断提高，也需要采用更高性能的功率器件来实现产品升级。

在半导体功率器件领域，主要的企业有Infineon、NXP、ON、Nexperia、ST、Toshiba、Vishay和罗姆半导体等。在晶圆制程方面，对比国外，国内主要是以4&6英寸居多，在制程工艺、产品性能以及市场份额等方面相对落后于国际头部企业。

在小信号MOSFET细分领域，国际企业仍占据领先地位，头部TOP5企业分别是Infineon、NXP Semiconductor、Vishay、ON Semiconductor和Toshiba，市场份额超过了52%。目前，全球核心厂商主要分布在美国、欧洲、日本、中国大陆和中国台湾等地。

小信号分立器件，全球Top 23企业及市场规模预测.docx (803.76 KB)