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可以很容易地验证,从定义4.1的意义上讲,任何此类固定点τ都是强MFE。现在,在附加假设C下,我们证明了第3.5项陈述中的最后一项主张。定义τ≡ sup T,通过感应τn=φ*o ψ(τn-1) 对于n≥ 1、很明显,τ≤ τ。现在假设τn≤ τn-1,则φ的单调性*o 早先证明的ψ意味着τn+1=φ*o ψ(τn)≤ φ*o ψ(τn-1) =τn.如果我们定义τ*作为非递增序列(τn)n的a.s.极限≥停车时间的1,然后τ*∈ 因为晶格S是完整的(见定理2)。我们声称τ*是MFE。注意ψ(τn)→ ψ(τ)*) 几乎可以肯定,因为18勒内·卡莫纳(REN’E CARMONA)、弗朗克·奥斯·德拉鲁(FRANC,OIS DELARUE)和丹尼尔·拉克尔(DANIEL LACKERτn)→ τ*. (m,t)中F=F(ω,ω,m,t)的联合连续性假设(C.1)以及一致可积性假设(C.2)通过控制收敛确保j(ψ(τ*), τ*) = 画→∞J(ψ(τn),τn+1)。此外,对于任何σ∈ S、 τn+1∈ Φ(ψ(τn))表示j(ψ(τn),τn+1)≥ J(ψ(τn),σ)。将两侧的极限传递到getJ(ψ(τ*), τ*) ≥ J(ψ(τ)*), σ) 。这表明τ*∈ Φ(ψ(τ*)), 尤其是τ*是MFE。同样,定义θ≡ 0,通过感应θn=φ*o ψ(θn-1) 对于n≥ 1、很明显,θ≥ θ、 如上所述,我们通过归纳证明θn≥ θn-1、接下来,我们定义θ*作为非递增序列(θn)n的a.s.极限≥1个停止时间。如前所述得出θ*是MFE。最后,很容易检查,如果τ是任何MFE,则它是s et值映射Φ的固定点o ψ、 在这个意义上,τ∈ Φ(ψ(τ))。简单地说,θ=0≤ τ≤ sup T=τ。应用φ*o ψ和φ*o ψ分别重复到左侧和右侧,我们得出结论θn≤ τ≤ τ为eachn,因此θ*≤ τ≤ τ*. 备注5.1。上述证明表明,在完全连续性假设下,无需使用Tarski定理证明存在性,因为MFEsτ*和θ*感应式构造。6.
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