中新社大连10月21日电 英特尔21日对外宣布，将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术引入中国，并在辽宁大连投资55亿美元，升级原有的英特尔大连工厂以生产“非易失性存储”设备。

　　非易失性存储芯片是指在断电情况下，依旧能保存数据的芯片。非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片，广泛用于硬盘和其它存储设备。

　　英特尔有限公司已于19日与大连市政府签署相关合作协议，项目将于2016年年底实现 ...

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