中新网12月4日电 三星电子近日宣布，将在全球首家推出128GB DRAM内存。该产品采用3D立体硅穿孔封装技术，容量和速度提升2倍，能耗减少50%。已经正式进入量产。

　　据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了 144 个芯片，形成了 36×4GB DRAM 封装，每个封装中有 4×8Gb 芯片，而且该内存芯片采用了三星最先进的20毫微米工艺制造。

　　因此，128GB TSV DRAM模块不仅容量大，而且还满足超高速、超省电、高安全性等绿色IT的要求，是面向企业级服务器和数据中心的解决方案。

　　相比于传统的引线连接多芯片封装方式，TSV技术能够大大减少半导体设计中的引线使用量，降低工艺复杂度，从而提升速度、降低功耗、缩小体积。

　　尤其与采用引线连接封装方 ...

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