CN102021000504613CN00001137077200APDFZH20211126CN00J

相似文件 换一批

是 否 +2 论坛币

k人 参与回答

经管之家送您一份

应届毕业生专属福利!

求职就业群

赵安豆老师微信：zhaoandou666

经管之家联合CDA

送您一个全额奖学金名额~ !

立即领取

感谢您参与论坛问题回答

经管之家送您两个论坛币！

+2 论坛币

(19) 中华人民共和国国家知识产权局
(12) 发明专利申请
(10) 申请公布号
(43) 申请公布日
(21) 申请号 202110504613.9
(22) 申请日 2021 .05.10
(30) 优先权数据
63/062,821 2020.08.07 US
17/143,771 2021 .01 .07 US
(71) 申请人 台湾积体电路制造股份有限公司
地址 中国台湾新竹
(72) 发明人 张旭凯黄治融 董彦佃 朱家宏
梁顺鑫 沈泽民 林斌彦 王菘豊
(74) 专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理
有限公司 11409
代理人 章社杲 李伟
(51) I nt. Cl .
H01L 29/78 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
(54) 发明名称
半导体器件及其制造方法
(57) 摘要
公开了具有不同配置的接触结构的半导体
器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一
鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二
栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的
第一源极/漏极(S/D) 和第二S/D区域、设置在第
一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第
二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第
一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触
结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化
物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触
插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上
的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二
nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第
二接触插塞。
权利要求书2页 说明书14页 附图47页
CN 113707720 A
2021. 11. 26
CN 113707720 A

CN102021000504613CN00001137077200APDFZH20211126CN00J.pdf (25.19 MB, 需要: 5 个论坛币)

2023-9-13 09:03:04 上传

需要: 5 个论坛币  [购买]

扫码加我 拉你入群

请注明：姓名-公司-职位

以便审核进群资格，未注明则拒绝

分享0 收藏0 回帖

关键词：PDF 国家知识产权局 中华人民共和国 股份有限公司 有限公司