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低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI_通信工程毕业论文

发布时间:2015-06-01 来源:人大经济论坛
低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI_通信工程毕业论文 全部作者: 萨宁 杨红 康晋锋 第1作者单位: 北京大学微电子所 论文摘要: 本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs,内含原生缺陷密度较低,分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性(PBTI和NBTI)。结果显示,Vt的不稳定性主要依赖于应力极性,而与衬底类型无关;在正和负偏压-温度应力(NBT)下均观察到的负阈值电压(Vt)漂移,可以用反应-扩散(R-D)模型表征。衬底注入电子或者空穴诱导的界面反应引起PBTI和NBTI特性:PBT应力下,衬底注入电子诱导了HfO2层/Si衬底界面的Si-O键断裂,导致了PBTI特性;NBT应力下,衬底注入空穴诱导了Si衬底界面的Si-H键断裂,导致了NBTI特性。 关键词: 高K栅介质,HfO2,负偏压-温度不稳定性(NBTI),正偏压-温度不稳定性(PBTI),反应-扩散(R-D)模型 (浏览全文) 发表日期: 2007年12月24日 同行评议: 论文给出HfN/HfO2 MOSFETs PBTI、NBTI表征,并提出改进模型能较好地解释实验现象,具有创新意义。英文摘要不够简练。建议给出器件尺寸。英文写作总体较流畅,但也存在多处时态不1致的问题:1般叙述实验步骤和方法时用过去时;描述观察现象和结论时用现在时。单复数误用,如第6页倒数第6行was似应为were数学式表达应规范,如high-k, high-K需统1,Ig,Id等1般用斜体,公式出现1般应编号,Vt需用下标。第3页倒数第2行Vt定义似应为1E-7A/um,而非1E-7A/cm。参考文献[16]需给出文章将发表的年限 综合评价: 修改稿: 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。
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