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6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究_通信工程毕业论文范文

发布时间:2015-06-01 来源:人大经济论坛
6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究_通信工程毕业论文范文 全部作者: 林涛 李佳 李连碧 李青民 蒲红斌 陈治明 第1作者单位: 西安理工大学电子工程系 论文摘要: 采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度(1100℃~1250℃),不同GeH4流量比(13.8%~44.4%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化。扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化。X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中Ge含量约为0.1%~0.6%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高。此外本文还定性分析了样品中的反相边界缺陷(APB)。 关键词: SiC;SiCGe;化学气相沉积;APB;岛状生长 (浏览全文) 发表日期: 2007年10月22日 同行评议: 在6H-SiC 衬底上采用低压热壁CVD 法生长SiCGe 薄膜,用SEM 和XPS的测试表明:SiCGe 薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长模式逐渐过渡到层状生长,样品中的Ge 含量随淀积温度的升高而降低;当生长温度为1250℃时,样品可以得到较好的表面形态,增加反应源中的GeH4 流量比可以在1定程度上增加SiCGe 样品中的Ge 含量,对SiCGe 薄膜中的反相边界缺陷进行了定性分析。 综合评价: 修改稿: (第1版)(2007-10-26) 注:同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见,综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值,以1至5颗星显示。
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